壓敏電阻、過壓保護|防浪涌、高功率壓敏電阻：

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zno壓敏電阻是半導體電子陶瓷器件，主要功能是 識別和限制瞬態過電壓，反復使用而不損壞。它的電流 （Ｉ）—電壓（Ｕ）特性是非線性的，與穩壓二極管相似。 但與二極管不同，壓敏電阻能限制的過電壓在兩個極性上 相等，于是呈現的　 Ｉ－Ｕ　 特性很象兩個背對背的二極管。 壓敏電阻能用于交流和直流電場，電壓范圍從幾伏到幾千 伏，電流范圍從毫安到幾千安。壓敏電阻還附加有高能量 吸收能力的特性，范圍從幾焦耳到幾千焦耳。它的通用性 使得壓敏電阻在半導體工業和電力工業都有應用。 ＺｎＯ　壓敏電阻是用半導體?。冢睿稀》勰┖推渌趸锓勰?如：Ｂｉ、Ｓｂ、Ｃｏ、Ｍｎ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｓｉ　等經過混合、壓型和燒 結工藝而制成。得到的產品是具有晶界特性的多晶陶瓷， 這一邊界特性決定了壓敏電阻的非線性　Ｉ－Ｕ　特性。 ＺｎＯ　壓敏電阻的基本特性包括電學特性、物理特性和 化學特性。微觀結構是體現這些性質的媒介，是　ＺｎＯ　壓敏 電阻的基礎。

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壓敏電阻連續工作電壓壽命，即壓敏電阻在規定環境和系統電壓條件下應能可靠地工作規定的時間（h）。由于壓敏電阻總是承受著穩態工作電壓應力的作用，壓敏電阻的壽命是與漏電流密切相關的。在不發生機械或其他電氣性能失效的情況下，壓敏電阻的壽命主要由漏電流IR（密度JR）及其溫度、電壓和時間的上升情況所決定。隨著漏電流IR（密度JR）升高，發熱量增大，若這個能量不能散失，元件的溫度會很快上升，這種元件在維持一段初始穩定狀態后，終將達到熱失控（擊穿）的溫度而結束其使用壽命。

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ZnO晶相位于晶粒體內，為低電阻率的半導體，對大電流特性有決定性作用。ZnO半導化的原因主要是氧不足導致的非化學計量比和施主摻雜，有大量的導電電子存在，為n型半導體。富鉍相，約在750℃形成12/14 Bi2O3

·Cr2O3 ，溫度低于850℃參與形成焦綠石相，超過850℃后從焦綠石相中分離出來，生成含

Cr的富鉍相，含有尖晶石相和Zn，隨著溫度的升高，Cr逐步移到尖晶石相中。

Cr有穩定尖晶石相的作用，高溫冷卻時，可以阻止生成焦綠石相。 焦綠石相700-900℃時形成，850℃時達到峰值，約950℃時消失，

反應式如下

2Zn2Bi3Sb3O 14+ 17ZnO ——3Zn7Sb2O 12+ 3Bi2O3

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